原子層沉積設備用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜。 具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產型ALD。 具備近100種膜層工藝。現在聯系

分子束外延外延生長二維材料以及拓撲材料、氧化物、氮化物等，如III-V 族,II-VI 族,Si/SiGe ,金屬與金屬氧化物及GaN,AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN,CIGS，OLED 等現在聯系

蒸銦設備蒸銦專用設備，滿足高品質銦柱沉積的需要，具有成熟的蒸銦的工藝，具有優化的Lift-off工藝設計，滿足高厚度、回流、倒裝冷焊的工藝前道要求。現在聯系

脈沖激光沉積利用激光轟擊靶材沉積異質結構金屬氧化物（如Fe/SrTiO3、Nb/SrTiO3、BiFeO3等）、高溫超導材料、硅氧化物、高K氧化物、金屬氮化物、鐵電材料等現在聯系

團簇式沉積設備多功能Cluster團簇式薄膜沉積/刻蝕系統MBE/PLD/ALD/ICP/RIE/Sputter/IBE/EBE現在聯系